机位视角 (Camera)
显示模式 (Display)
层叠爆炸解构
0%
左键旋转 · 右键平移 · 滚轮缩放 · 悬停测绘
GAA Nanosheet CAD · 500×500
2nm / A16
·
Three.js r128
STEP 01 / 10
超晶格多层外延
Si/SiGe 多层超晶格原子级外延生长
Si/SiGe Superlattice Epitaxial Growth
在单晶硅基底上，利用低压化学气相外延（RPCVD）交替精确生长单原子层级突变的 SiGe 牺牲层与纯硅 Si 纳米片层（通常交替 3 层 SiGe + 3 层 Si 纳米片）。
制造机台 (Tool)
减压气相外延炉 (RPCVD)
Applied Materials Centura Epi / ASM Intrepid
材料与结构 (Material)
Si / Si0.7Ge0.3 超晶格叠层
纳米片厚度 ~5nm | SiGe 厚度 ~9nm
工艺核心目的与机理
构建未来悬空三维导电纳米通道的材料前驱骨架，严格控制 Si/SiGe 晶格界面的原子突变锐利度，避免锗原子互扩散导致后续选择性腐蚀失效。