机位视角 (Camera)
显示模式 (Display)
层叠爆炸解构
0%
左键旋转 · 右键平移 · 滚轮缩放 · 悬停测绘
FinFET CAD · 500×500
14nm RMG
·
Three.js r128
STEP 01 / 10
衬底工程
单晶硅衬底准备与阱注入
Substrate Preparation & Well Implantation
选取高纯度单晶硅片（Si (100) 晶向），表面热生长一层薄氧化层（Screen Oxide），随后通过高能离子注入机进行硼（B）或磷（P）杂质离子注入并高温退火，形成 NMOS 或 PMOS 所需的导电势阱基底。
制造机台 (Tool)
高能离子注入机 / RTA退火炉
Applied Materials Varian VIISta
材料与结构 (Material)
P-Type Si (100) 硅体
电阻率 ~10 Ω·cm
工艺核心目的与机理
在晶体管导电通道下方建立精确掺杂浓度的势垒，防止源极向漏极发生衬底漏电与穿通（Punch-through），为后续高深宽比直立硅鳍（Fin）的刻蚀成形奠定基石。